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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

Documents en texte intégral

325

Notices

451

Statistiques par discipline

Mots clés

2D materials Normally-off High electron mobility transistors Chemical vapor deposition processes Transmission electron microscopy Bond order wave III-nitrides Diffraction Al GaN-on-Si Epitaxy Boron nitride Quantum dots Characterization Doping Millimeter-wave power density Nitrure de gallium AlGaN/GaN HEMT Atom probe tomography 3C–SiC Light emitting diodes CVD Nitrures d'éléments III Spectroscopy Electron holography Nanostructures Épitaxie Molecular beam epitaxy MBE Silicium Coalescence High electron mobility transistor Defects LED Metasurfaces Microcavity Nitrides Nanowire Bullseye antennas Silicon Heterostructures Zinc oxide AlN Electrical properties and parameters Graphene Cathodoluminescence Optical properties Nanoparticles Selective area growth Quantum wells Compressive stress Silicon carbide Gallium nitride Microscopie électronique en transmission III-N HEMT MBE Semiconducteurs LPCVD DLTFS Molecular beam epitaxy LEDs Épitaxie par jets moléculaires Dislocations GaN CRYSTALS Silica Diodes électroluminescentes Tunnel junction Aluminum gallium nitride Photoluminescence Semiconductors 6H-SiC Traps Metalens MOCVD Boîtes quantiques Bending Transistor AlGaN/GaN GaN HEMT Chemical vapor deposition ZnO High electron mobility transistor HEMT Croissance Strong coupling Excitons Holography Group III-nitrides Atomic force microscopy Schottky barrier diode Gallium nitride GaN Metasurface AlGaN Caractérisation Creep III-nitride semiconductors Free-standing GaN InGaN Contraintes Aluminum nitride